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商品訊息功能
- 品號：3972918
- 後插槽端口
- 身臨其境的聲音
- 掌控得宜聲聲動聽
網路人氣商品top10
商品訊息描述
【ENERGY】12吋 超重低音喇叭、功率輸出150瓦(ENERGY POWER 12 SUB)
強有力的12英寸前推低音單元
渾厚的低音驅動動態150瓦特功率輸出
後插槽端口線路電平
與揚聲器電平輸入音量控制，交叉控制，
相位開關和功放面板電源開關可變低通濾波器：
可變為50Hz-150Hz的可變相位控制：
可切換0度或180度電源模式開關：
自動/開/關系統類型：
通過後置端口槽低音反射
驅動單元---12"前推低音單元
額定功率---FTC額定功率：150瓦特動態，75 連續
頻率響應---35Hz-120Hz的+/-3分貝
連接器---輸入：兩個線路電平/ LFE RCA輸入和兩個高層次的揚聲器輸入
電源---100 - 240 V，50/60 Hz的通用電源用半瓦的待機功率
顏色---黑色磨砂乙烯基
高度：14"
寬度&熱賣商品#65306;13.5"
深度：16"
重量（大約）：10.45公斤
商品訊息特點便宜團購
| 多媒體播放器 |
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|---|---|
| 影音播放器 |
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| 錄音筆 |
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| 隨身聽 |
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| HDMI類 |
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| AV類 |
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| 音源類 |
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| 其他 |
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| 無線影音傳輸 |
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*所有規格、說明配附件以實際商品和官網公告說明為準
| 保固期 | 1年保固期 |
|---|
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下面附上一則新聞讓大家了解時事
大陸新聞中心／綜合報導
開學季，有的孩子歡歡喜喜地奔回學校，有的孩子卻為面臨的學業壓力苦惱，比如剛上二年級的文文。文文認字、看書、讀文章都非常地困難，同一個生字他要花上比其他同學多許多的時間來認識並記住讀音，閱讀起文章來不僅速度緩慢，還經常認錯、看漏字詞，他的語文閱讀題、數學閱讀題都備受此影響，成績不理想。可是文文並不是個調皮、不認真學習的孩子，他除閱讀以外的能力都和其他孩子一樣，甚至更加優秀。
根據南方日報報導，從心理健康的角度看，文文極有可能是患了閱讀障礙症，閱讀障礙是學齡兒童中常見的一種學習障礙。史上被追認為『閱讀障礙者』的名人有不少，包括愛迪生、愛因斯坦和邱吉爾等等，他們在孩童時期都曾有過類似的遭遇，不過從這些名人後來的成功來看，閱讀障礙與智力關係不大，實際上，不少患有閱讀障礙的孩子還極具藝術或數模方面的天賦。
閱讀障礙不代表智力低下
在醫學臨床上，閱讀障礙分為獲得性閱讀障礙和發展性閱讀障礙。獲得性閱讀障礙是指先天或後天的腦損傷以及相應視聽覺障礙造成的閱讀困難。發展性閱讀障礙是指智力正常的兒童在發展過程中沒有明顯的神經或器質性損傷情況下，無法進行準確而流暢的閱讀，即使在正常的智力、教育成就、動機水平條件下，閱讀水平仍顯著落後於其相應智力水平或生理年齡的現象。我們現在所談到的閱讀障礙主要指發展性閱讀障礙，屬先天性問題。
廣東省心理危機干預聯盟委員、廣州心海榕心理諮詢機構心理專家於東輝談到，患有心理性的閱讀障礙，往往是由於患者在過往的閱讀體驗中遭受過強迫、辱罵等帶來的負面情緒或壓力，例如小孩子小的時候愛玩，而父母採取打罵、羞辱等方式強迫他靜下來看書，時間一長就在孩子心裡留下了陰影，使其不願面對閱讀。
從目前的研究報告來看，發展性閱讀障礙具有較高的檢出率，國外有地區高達5-15%左右，並且這種障礙將會導致兒童在其他認知甚至行為方面都遇到困難，如不及時治療糾正，負面影響會延續到成年。許多心理學家都試圖弄清發展性閱讀障礙的起因、機制，以便設計訓練方法，對發展性閱讀障礙兒童進行有效的干預。
史上和『閱讀障礙者』相關的名人有不少，包括愛迪生、愛因斯坦和邱吉爾等等，他們曾因有此障礙而學習成績不佳，算不得老師眼中的標準好學生，不過從這些名人後來的成功來看，閱讀障礙與智力關係不大，實際上，不少患有閱讀障礙的孩子還極具藝術或數模方面的天賦。
旺報【記者葉文義╱綜合報導】
大陸紫光集團繼日前宣布砸460億美元在成都、南京各建晶圓廠，18日紫光再度與南京市就半導體產業項目簽約。加上，去年底宣布聯合武漢新芯共組長江存儲，有意從3D NAND Flash進入記憶體產業，投資240億美元，總計3大項目投資金額高達700億美元，旺盛企圖心可見。
有資料統計顯示，大陸記憶體的消耗量占全球總消耗量的50%以上，但是當中能由大陸國產廠商供應的存儲產品則是屈指可數，基本為美光、三星、東芝等少數幾個廠商壟斷，這個對發展自主可控的大陸資訊技術產業是一個很大的挑戰。
一期月產能達10萬片
據陸媒報導，此次紫光在南京的半導體基地投資，主要將用於生產3D NAND Flash、DRAM等記憶體晶片，土地面積約1500畝，一期將投入約100億美元，目標月產能約10萬片，但官方並未透露量產的明確時程。
紫光與成都政府去年12月13日已簽署《紫光IC國際城項目合作框架協議》，規畫於成都建廠，18日再與南京市政府簽約。
年產值上看百億美元
去年12月30日，紫光宣布動工，興建3座全球最大3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠，地點選在武漢東湖高新區，占地1968畝，投資金額240億美元，第一期計畫2018年建成啟用投產，2020年全部完工，月產能將達到30萬片，年產值超過100億美元。
紫光的下一步，恐怕將跨足DRAM製造，找來台灣DRAM教父高啟全擔任重要高層幹部，預料對半導體業界人才挖角態勢，會更加明顯。
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